碲溶剂法生长的Zn1-xCrxTe稀磁半导体晶锭中富碲相的研究

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (5): 1102-1106.

碲溶剂法生长的Zn1-xCrxTe稀磁半导体晶锭中富碲相的研究

杨睿;孙晓燕;刘长友;徐亚东;查钢强;王涛;介万奇

西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

出版日期:2011-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973)项目(2011 CB610406);国家自然科学基金

Study on Te-rich Phase in Zn1-xCrx Te Diluted Magnetic Semiconductor Ingot Grown by Te-solvent Method

YANG Rui;SUN Xiao-yan;LIU Chang-you;XU Ya-dong;ZHA Gang-qiang;WANG Tao;JIE Wan-qi

Online:2011-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用碲溶剂法生长Zn1-xCrxTe晶体晶锭,用红外透过显微镜及扫描电子显微镜观察了晶锭不同位置富碲相的分布与形态.结果表明:晶锭的外围存在一层富碲相,Zn1-xCrx Te晶体的中部碲夹杂相较少,碲在晶界处易富集；红外透过显微成像所显示的晶粒内部的较大碲夹杂相呈六边形,而晶界处的碲夹杂相形状不规则.

中图分类号:

TN304

杨睿;孙晓燕;刘长友;徐亚东;查钢强;王涛;介万奇. 碲溶剂法生长的Zn1-xCrxTe稀磁半导体晶锭中富碲相的研究[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(5): 1102-1106.

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