椭球谐振腔式MPCVD装置高功率下大面积金刚石膜的沉积

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (5): 1145-1149.

椭球谐振腔式MPCVD装置高功率下大面积金刚石膜的沉积

于盛旺;范朋伟;李义锋;刘艳青;唐伟忠

北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083

出版日期:2011-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(10675017)

Deposition of Polycrystalline Diamond Films by Using an Ellipsoidal MPCVD Reactor at High Microwave Power Levels

YU Sheng-wang;FAN Peng-wei;LI Yi-feng;LIU Yan-qing;TANG Wei-zhong

Online:2011-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在输入功率为9 kW,沉积压力为1.7 ×104 Pa和不同的气体流量条件下制备了金刚石膜.利用扫描电镜、激光拉曼谱对金刚石膜的表面和断口形貌、金刚石膜的品质等进行了表征.实验结果表明,利用椭球谐振腔式MPCVD装置能够在较高的功率下进行大面积金刚石膜的沉积；在高功率条件下,较高质量的金刚石膜的沉积速率可以达到4 ～5 μm·h-1的水平,而气体的流量则会显著影响金刚石膜的品质及其沉积速率.

中图分类号:

O484

于盛旺;范朋伟;李义锋;刘艳青;唐伟忠. 椭球谐振腔式MPCVD装置高功率下大面积金刚石膜的沉积[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(5): 1145-1149.

YU Sheng-wang;FAN Peng-wei;LI Yi-feng;LIU Yan-qing;TANG Wei-zhong. Deposition of Polycrystalline Diamond Films by Using an Ellipsoidal MPCVD Reactor at High Microwave Power Levels[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(5): 1145-1149.

[1]	许万里, 甘云海, 李悦文, 李彬, 郑有炓, 张荣, 修向前. 高均匀性6英寸GaN厚膜的高速率HVPE生长研究[J]. 人工晶体学报, 2025, 54(1): 11-16.
[2]	马超, 熊春艳, 徐源来, 赵培. 沉积温度对MOCVD法制备固体氧化物燃料电池GDC阻挡层性质的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2197-2204.
[3]	杨涛, 陈彩明, 黄瑜佳, 吴少平, 徐华蕊, 汪坤喆, 朱归胜. ITO/AgNWs/ITO薄膜的制备及其性能研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(7): 1150-1159.
[4]	徐玉琦, 李晴雯, 钟敏. 化学气相沉积制备高c轴取向的BiOI薄膜[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(5): 841-847.
[5]	初学峰, 黄林茂, 张祺, 谢意含, 胡小军. 铟锡氧(ITO)和氟锡氧(FTO)透明导电薄膜的表征与分析[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(5): 848-854.
[6]	张庆文, 单东明, 张虎, 丁然. 溶液空间限域法制备有机-无机杂化卤化铅钙钛矿单晶薄膜及其器件应用研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(4): 572-584.
[7]	郭钰, 刘春俊, 张新河, 沈鹏远, 张博, 娄艳芳, 彭同华, 杨建. 碳化硅同质外延质量影响因素的分析与综述[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(2): 210-217.
[8]	彭倩文, 吉祥. 退火温度对BCZT外延薄膜电学性能的影响及其导电机制分析[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(1): 82-89.
[9]	詹廷吾, 贾伟, 董海亮, 李天保, 贾志刚, 许并社. 多孔GaN薄膜的制备与光学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(9): 1599-1608.
[10]	南博洋, 洪瑞金, 陶春先, 王琦, 林辉, 韩朝霞, 张大伟. 基于金属锡掺杂浓度变化的光学性能可调谐ITO薄膜制备研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(9): 1617-1623.
[11]	陈根强, 赵浠翔, 于众成, 李政, 魏强, 林芳, 王宏兴. 异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 931-944.
[12]	宋长坤, 黄晓莹, 陈英鑫, 喻颖, 余思远. 半导体单量子点的分子束外延生长及调控[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 982-996.
[13]	汪正鹏, 张崇德, 孙新雨, 胡天澄, 崔梅, 张贻俊, 巩贺贺, 任芳芳, 顾书林, 张荣, 叶建东. 切割角蓝宝石基氧化镓薄膜MOCVD外延及日盲紫外光电探测器制备[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1007-1015.
[14]	李秉欣, 丁元丰, 芦红. 单晶α-Sn薄膜的外延生长及输运性质研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1025-1035.
[15]	林泽丰, 孙伟轩, 刘天想, 涂思佳, 倪壮, 柏欣博, 赵展艺, 张济全, 陈赋聪, 胡卫, 冯中沛, 袁洁, 金魁. 脉冲激光沉积技术制备超导薄膜的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1036-1051.