人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (5): 1157-1161.
杨华斌;单旭;周昌荣;成钧;陈国华;李伟洲
YANG Hua-bin;SHAN Xu;ZHOU Chang-rong;CHENG Jun;CHEN G uo-hua;LI Wei-zhou
摘要: 采用传统陶瓷制备方法,制备了一种B位多离子复合铁电体Bi(Zn1/2Ti1/2)O3改性BNT无铅压电陶瓷(1 -x)( Bi1/2 Nay2) TiO3-xBi( Zn1/2Ti1/2) O3(简写为(1-x)BNT- xBZT,x=O,0.01,0.02,0.03,0.04).研究了BZT对该体系陶瓷微结构和压电性能的影响.结果表明:在所研究的组成范围内,BZT不改变陶瓷的晶体结构,同时抑制晶粒长大.添加BZT明显改善陶瓷的压电常数d33,但机电耦合系数kp变化不明显.分析了影响压电常数d33与机电耦合系数kp的不同作用机理,发现陶瓷内部存在的内应力是引起压电常数d33变化的一个重要因素.
中图分类号: