射频磁控溅射法制备Zn1-xMgxO薄膜及其性能的研究

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (5): 1261-1265.

射频磁控溅射法制备Zn1-xMgxO薄膜及其性能的研究

王彦利;杨元政;高振杰;谢致薇;陈先朝;何玉定

广东工业大学材料与能源学院,广州,510006

出版日期:2011-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50771037);高等学校博士学科点专项研究基金(200805620004)

Preparation and Properties of Zn1 -xMgxO Thin Films by Radio Frequency Magnetron Sputtering Method

WANG Yan-li;YANG Yuan-zheng;GAO Zhen-jie;XIE Zhi-wei;CHEN Xian-chao;HE Yu-ding

Online:2011-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文通过在ZnO靶材上放置高纯Mg片,运用射频磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备了Zn1-xMgxO(x=0.1,0.16,0.18,0.24)薄膜.用X射线衍射仪、扫描电镜、紫外-可见-分光光度计等研究了Zn1-xMgxO薄膜的组织结构和性能.结果表明:Zn1-xMgxO薄膜呈ZnO的纤锌矿结构,在ZnO晶格中Mg2+有效地替代了Zn2+.样品表面比较平整,颗粒均匀致密,薄膜质量较高,且在可见光范围内光透过率均为90;左右,具有极好的透光性；此外,随着Mg掺入量的增多,Zn1-xMgxO薄膜的吸收边出现蓝移现象,实现了对禁带宽度的调节.

中图分类号:

O484.1

王彦利;杨元政;高振杰;谢致薇;陈先朝;何玉定. 射频磁控溅射法制备Zn1-xMgxO薄膜及其性能的研究[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(5): 1261-1265.

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