| [1] |
南博洋, 洪瑞金, 陶春先, 王琦, 林辉, 韩朝霞, 张大伟. 基于金属锡掺杂浓度变化的光学性能可调谐ITO薄膜制备研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(9): 1617-1623. |
| [2] |
陈根强, 赵浠翔, 于众成, 李政, 魏强, 林芳, 王宏兴. 异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 931-944. |
| [3] |
宋长坤, 黄晓莹, 陈英鑫, 喻颖, 余思远. 半导体单量子点的分子束外延生长及调控[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 982-996. |
| [4] |
李秉欣, 丁元丰, 芦红. 单晶α-Sn薄膜的外延生长及输运性质研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1025-1035. |
| [5] |
林泽丰, 孙伟轩, 刘天想, 涂思佳, 倪壮, 柏欣博, 赵展艺, 张济全, 陈赋聪, 胡卫, 冯中沛, 袁洁, 金魁. 脉冲激光沉积技术制备超导薄膜的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1036-1051. |
| [6] |
杨学林, 沈波. Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 723-731. |
| [7] |
梁潇, 李思琦, 王中伟, 邵鹏飞, 陈松林, 陶涛, 谢自力, 刘斌, 陈敦军, 郑有炓, 张荣, 王科. 分子束外延高Al组分AlGaN薄膜及Si掺杂研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 783-790. |
| [8] |
殷鑫燕, 陈鹏, 梁子彤, 赵红. MOCVD外延生长InN薄膜及其光学性质研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 791-797. |
| [9] |
韩钰, 牛群, 周琴, 赵爱迪. 单层α-MoO3半导体薄膜的范德瓦耳斯外延制备[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 886-893. |
| [10] |
徐建喜, 王钰宁, 徐俞, 王建峰, 徐科. 石墨烯上异质远程外延GaN的研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 894-900. |
| [11] |
韩跃斌, 蒲勇, 施建新, 闫鸿磊. 高速旋转垂直热壁CVD外延生长n型4H-SiC膜的研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 918-924. |
| [12] |
沈波;杨学林;许福军. 氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1953-1969. |
| [13] |
王珣;汪莱;郝智彪;罗毅;孙长征;韩彦军;熊兵;王健;李洪涛. GaN基三维结构生长与器件应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1984-1995. |
| [14] |
杨启鸣;杨雯;段良飞;姚朝辉;杨培志. 单晶硅外延生长晶化硅薄膜的研究[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(12): 2337-2342. |
| [15] |
李琦;蒋志;杨剑;杨敏;陆熠磊;刘思佳;徐信;王书荣. 硫化温度-时间曲线对铜锌锡硫薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(9): 1720-1727. |
E-mail Alert
RSS