Zn掺杂Z形GaN纳米线的制备及表征

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (1): 36-41.

Zn掺杂Z形GaN纳米线的制备及表征

梁建;王晓宁;张华;刘海瑞;王晓斌;许并社

太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024;太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024

出版日期:2012-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山西省回国留学人员重点资助项目(2009-03)

Synthesis and Characterization of Zn-doped GaN Zigzag Nanowires

LIANG Jian;WANG Xiao-ning;ZHANG Hua;LIU Hai-rui;WANG Xiao-bin;XU Bing-she

Online:2012-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文以氧化镓、氧化锌和氨气为原料,通过常压化学气相沉积法(APCVD)在Au/Si( 100)衬底上成功生长出了Zn掺杂的”Z”形GaN纳米线.利用场发射扫描电镜(FESEM)、X-射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、光致发光谱(PL)等测试方法对样品的形貌、晶体结构及光学性质进行了表征.结果表明:在温度为950℃,氧化镓和氧化锌的质量比为8∶1的条件下,制备出的Zn掺杂Z形GaN单晶纳米线直径为70 nm、长度为数十个微米,生长机理遵循VLS机制.Zn元素的掺杂使GaN纳米线在420nm处出现了光致发光峰,发光性能有所改善.

中图分类号:

TN304.23

梁建;王晓宁;张华;刘海瑞;王晓斌;许并社. Zn掺杂Z形GaN纳米线的制备及表征[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(1): 36-41.

LIANG Jian;WANG Xiao-ning;ZHANG Hua;LIU Hai-rui;WANG Xiao-bin;XU Bing-she. Synthesis and Characterization of Zn-doped GaN Zigzag Nanowires[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(1): 36-41.