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人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (1): 74-78.

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溶剂热法制备Al掺杂ZnO薄膜的机理研究

马振辉;谷景华;张跃   

  1. 北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京,100191
  • 出版日期:2012-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    中央高校基本科研业务费专项资金资助

Study on Growth Mechanism of Al Doped ZnO Films Prepared by Solvothermal Method

MA Zhen-hui;GU Jing-hua;ZHANG Yue   

  • Online:2012-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用溶剂热法在玻璃衬底上制备Al掺杂的ZnO薄膜,研究了溶剂热过程中升温、恒温和降温三个阶段分别对薄膜物相和形貌的影响,探讨了薄膜的生长机理.结果表明,升温阶段只是形核过程,基片仅在升温阶段与前驱液接触不能形成薄膜;基片在升温-恒温阶段与前驱液接触可制备(002)择优取向的薄膜;恒温阶段既有成核过程又有晶体生长过程,基片仅在恒温阶段与前驱液接触可以制备薄膜;降温阶段薄膜继续生长.

关键词: ZnO薄膜;Al掺杂;溶剂热;机理

中图分类号: