p-ZnO薄膜及其异质结的光电性质

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (3): 636-641.

p-ZnO薄膜及其异质结的光电性质

朱慧群;李毅;丁瑞钦;王忆;黄洁芳;张锐华

上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海200093;五邑大学应用物理与材料学院,江门529020;上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海200093;上海市现代光学系统重点实验室,上海200093;五邑大学应用物理与材料学院,江门,529020

出版日期:2012-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划(863)(2006AA03Z348);上海市教育委员会科研创新重点项目(10ZZ94);上海领军人才培养计划;广东省自然科学基金(10152902001000025);江门市自然科学和基础科学领域科技攻关计划项目([2009]38);五邑大学重点科研项目资助

Optical and Electrical Properties of p-type ZnO Thin Films and Heter-junctions

ZHU Hui-qun;LI Yi;DING Rui-qin;WANG Yi;HUANG Jie-fang;ZHANG Rui-hua

Online:2012-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结.对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱(PL)、霍尔参数、Ⅰ-Ⅴ特性、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)等测试.结果表明,获得的ZnO∶P薄膜沿(0002)晶面高取向生长,以3.33 eV近带边紫外发光为主,伴有2.69 eV附近的深能级绿色发光峰,空穴浓度为8.982 × 1017/cm3,空穴迁移率为9.595 cm2/V·s,p-ZnO/n-Si异质结I-V整流特性明显,表明ZnO∶P薄膜具有p型导电特性.

中图分类号:

O482.31

朱慧群;李毅;丁瑞钦;王忆;黄洁芳;张锐华. p-ZnO薄膜及其异质结的光电性质[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(3): 636-641.

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