不同半导体材料构成三维光子晶体带隙特性

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (3): 779-782.

不同半导体材料构成三维光子晶体带隙特性

李院平;邴丕彬;闫昕;梁兰菊;薛冬;田贵才

枣庄学院光电工程学院,枣庄,277160;华北水利水电学院电力学院,郑州,450011

出版日期:2012-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山东省2012年高等学校科技计划项目(J12LJ51);山东省2011年高等学校科技计划项目(J11LG74);国家科技支撑计划(2008BAC34B03-1-4);枣庄市科学技术发展计划项目(200926-5);枣庄市科学技术发展计划项目(201127)

Band Gap Properties of Three-Dimensional Photonic Crystals with Different Semiconductor Material

LI Yuan-ping;BING Pi-bin;YAN Xin;LIANG Lan-ju;XUE Dong;TIAN Gui-cai

Online:2012-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 应用平面波展开法研究Ⅳ、Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ和Ⅳ-Ⅵ族半导体材料构成三维光子晶体的带隙特性,通过数值模拟得到半径与晶格常数的最佳比值,计算得到不同材料对应的最大完全光子带隙,其中Ⅲ-Ⅴ族构成的三维光子晶体要普遍宽一些,Ⅳ中的Ge具有较大的完全带隙,研究结论为三维光子晶体的制作提供理论依据.

中图分类号:

TB32

李院平;邴丕彬;闫昕;梁兰菊;薛冬;田贵才. 不同半导体材料构成三维光子晶体带隙特性[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(3): 779-782.

LI Yuan-ping;BING Pi-bin;YAN Xin;LIANG Lan-ju;XUE Dong;TIAN Gui-cai. Band Gap Properties of Three-Dimensional Photonic Crystals with Different Semiconductor Material[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(3): 779-782.

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