偏压对磁控溅射沉积立方氮化硼薄膜的影响

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (4): 853-857.

偏压对磁控溅射沉积立方氮化硼薄膜的影响

徐锋;左敦稳;张旭辉;户海峰;王珉

南京航空航天大学机电学院,南京,210016

出版日期:2012-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金资助项目(51005117)

Effect of Substrate Bias on the cBN Film Deposition by Magnetron Sputtering

XU Feng;ZUO Dun-wen;ZHANG Xu-hui;HU Hai-feng;WANG Min

Online:2012-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 合适的衬底偏压是物理气相沉积制备cBN的必须条件,本文采用基于蒙特卡洛方法的SRIM软件对PVD过程中离子轰击衬底进行了分析,并进行了相关的实验研究.仿真与实验结果显示,随着离子轰击能量的增加,离子轰击深度和范围扩大,有利于cBN的成核与生长,但是过大的轰击能量会导致薄膜表面N与B元素的不匹配以及薄膜立方相的下降.同时,在PVD气氛中适量添加N2可以弥补薄膜表面N元素的损失,有利于提高立方相含量.

中图分类号:

TB43

徐锋;左敦稳;张旭辉;户海峰;王珉. 偏压对磁控溅射沉积立方氮化硼薄膜的影响[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(4): 853-857.

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