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人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (5): 1186-1189.

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温度对快速热退火制备多晶硅薄膜结构与电学性能的影响

张磊;沈鸿烈;尤佳毅   

  1. 南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,210016
  • 出版日期:2012-10-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    江苏高校优势学科建设工程资助项目;中央高校基本科研业务费专项资金资助;江苏省普通高校研究生科研创新计划资助项目(CXZZ11_0206)

Effect of Annealing Temperature on the Structural and Electrical Properties of Poly-Si Films Prepared by Rapid Thermal Annealing

ZHANG Lei;SHEN Hong-lie;YOU Jia-yi   

  • Online:2012-10-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用快速热退火方法对热丝CVD沉积的非晶硅薄膜进行了晶化处理.利用傅里叶红外光谱研究了非晶硅薄膜脱氢处理前后Si-Hx含量的变化;用X射线衍射(XRD),拉曼(Raman)光谱和扫描电子显微镜研究了硅薄膜的结构性能与退火温度的关系;利用电导率测试研究了硅薄膜的电学性能对退火温度的依赖性.研究发现,脱氢处理可以有效的抑制快速热退火引起的硅薄膜中微裂纹的出现.随着退火温度由700℃升高至1100℃,硅薄膜的结晶性逐渐升高,在1100℃下快速热退火15 s制备的多晶硅薄膜的晶化率高达96.7;.同时,硼掺杂硅薄膜的电导率也由700℃退火的1.39×10-6 S·cm-1提高至1100℃退火的16.41 S·cm-1,增大了7个数量级.

关键词: 快速热退火;多晶硅薄膜;结晶性能;电导率

中图分类号: