HgI2晶体最低生长温度的确定

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (5): 1195-1199.

HgI2晶体最低生长温度的确定

许岗;谷智;坚增运;惠增哲;刘翠霞;张改

西安工业大学材料与化工学院,西安,710032;西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

出版日期:2012-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51071115,51072155);西安工业大学凝固理论与功能材料科研创新团队基金;西北工业大学基础研究基金(JC20110244)

Study on the Lowest Growth Temperature of Mercuric Iodide Crystal

XU Gang;GU Zhi;JIAN Zeng-yun;XI Zeng-zhe;LIU Cui-xia;ZHANG Gai

Online:2012-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 为确定HgI2晶体的最佳生长温度,根据邻位面生长的台阶动力学,推导出HgI2分子在(001)面扩散激活能ESD约为0.33 eV,进而采用物理气相沉积法的基本理论推算了不同升华温度T1下HgI2晶体生长的最低温度Tmin.结果表明,计算结果与实际晶体生长温度基本一致.该结果为HgI2单晶体、多晶薄膜、单晶薄膜沉积工艺的优化提供了依据.

中图分类号:

TQ050.4+21

许岗;谷智;坚增运;惠增哲;刘翠霞;张改. HgI2晶体最低生长温度的确定[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(5): 1195-1199.

XU Gang;GU Zhi;JIAN Zeng-yun;XI Zeng-zhe;LIU Cui-xia;ZHANG Gai. Study on the Lowest Growth Temperature of Mercuric Iodide Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(5): 1195-1199.