直流电弧等离子体喷射CVD硼掺杂金刚石薄膜的制备及电化学性能研究

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (5): 1205-1210.

直流电弧等离子体喷射CVD硼掺杂金刚石薄膜的制备及电化学性能研究

张聪聪;戴玮;朱宁;尹振超;吴小国;曲长庆

天津理工大学电子信息工程学院,天津300384;天津理工大学天津市薄膜电子与通信器件重点实验室,天津300384;天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津,300072

出版日期:2012-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金资助项目(50972105);天津市重大科技攻关资助项目(06YFGZSH00300)

Electrochemical Properties of Boron Doped Diamond Films Prepared by DC Arc Plasma Jet CVD

ZHANG Cong-cong;DAI Wei;ZHU Ning;YIN Zhen-chao;WU Xiao-guo;QU Chang-qing

Online:2012-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用直流电弧等离子体喷射CVD(Chemical Vapor Deposition)法在硅(100)衬底上制备了(111)占优的掺硼金刚石(BDD)薄膜,研究了压强对薄膜生长的影响,在压强为5500Pa时得到了(100)占优的金刚石薄膜,并用SEM、XRD及拉曼光谱分析了薄膜的表面形貌、晶体结构、薄膜品质.测试结果表明,掺硼金刚石膜具有较好的成膜质量.霍尔测试表明BDD的电阻率为0.0095Ω·cm,载流子浓度为1.1×1020 cm-3；研究了BDD薄膜电极在硫酸钠空白底液、铁氰化钾/亚铁氰化钾溶液和多巴胺溶液中的循环伏安曲线(CVs),发现该金刚石薄膜电极在硫酸钠中具有较宽的电化学窗口(约为4V)、接近零的背景电流和良好的可逆性,利用BDD电极检测多巴胺溶液,具有明显的氧化还原峰值和较好的稳定性.结果表明利用该方法制备的BDD电极在电化学检测方面具有明显的优势.

中图分类号:

O484

张聪聪;戴玮;朱宁;尹振超;吴小国;曲长庆. 直流电弧等离子体喷射CVD硼掺杂金刚石薄膜的制备及电化学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(5): 1205-1210.

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