镓掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备及其性能研究

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (5): 1337-1344.

镓掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备及其性能研究

钟志有;顾锦华;孙奉娄;杨春勇;侯金

中南民族大学电子信息工程学院,武汉430074;中南民族大学等离子体研究所,武汉430074;中南民族大学计算与实验中心,武汉,430074;中南民族大学电子信息工程学院,武汉,430074

发布日期:2021-01-20
基金资助:
the Natural Science Foundation of Hubei(2011CDB418);the National Natural Science Foundation of China(61002013,11147014);the Academic Team Foundation (XTZ09003) of SCUN

Preparation and Properties of Gallium-doped Zinc Oxide Transparent Conductive Thin Films

ZHONG Zhi-you;GU Jin-hua;SUN Feng-lou;YANG Chun-yong;HOU Jin

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频磁控溅射方法在玻璃基片上制备了镓掺杂氧化锌(Ga∶ ZnO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等表征技术,研究了衬底温度对Ga∶ ZnO薄膜结构、组分、光学和电学性质的影响.结果表明:所有样品均为具有(002)择优取向的高质量透明导电薄膜,其晶体结构和光电性能与衬底温度密切相关.当衬底温度为673 K时,所制备的Ga∶ ZnO薄膜具有最大的晶粒尺寸(72.6 nm)、最低的电阻率(1.3×10-3Ω·cm)、较高的可见∶ZnO薄膜的光学能隙,结果显示随着衬底温度的升高,薄膜的光学能隙单调增加.

中图分类号:

O484

钟志有;顾锦华;孙奉娄;杨春勇;侯金. 镓掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备及其性能研究[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(5): 1337-1344.

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