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人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (6): 1696-1699.

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SiO2阻挡层对直流磁控溅射制备AZO薄膜性能的影响

李林娜   

  1. 天津开发区职业技术学院,天津,300457
  • 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    天津开发区职业技术学院技术服务与开发基金项目(TEDAPT12-07)

Effects of SiO2 Buffer Layer on the Properties of AZO Thin Films Grown by DC Magnetron Sputtering

LI Lin-na   

  • Published:2021-01-20

摘要: 在AZO薄膜制备温度下,浮法玻璃衬底中的杂质可能会引入“掺杂”效应而导致薄膜迁移率的降低.为了提高薄膜的迁移率,增加载流子在薄膜中的输运能力,本实验提出SiO2/AZO复合薄膜制备技术.SiO2薄膜与普通玻璃相比,具有纯度高、透过率高的特点,本实验通过SiO2/AZO复合结构提高薄膜的迁移率.采用SiO2/AZO复合结构溅射制备AZO薄膜,使薄膜的载流子迁移率由19.8 cm2·V-1·s-1提高到57.1 cm2·V-1·s-1.

关键词: AZO薄膜;阻挡层;迁移率

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