AIC多晶硅薄膜的制备与其上HWCVD低温外延生长多晶硅薄膜的研究

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (6): 1757-1761.

AIC多晶硅薄膜的制备与其上HWCVD低温外延生长多晶硅薄膜的研究

唐正霞;沈鸿烈;江丰;张磊

金陵科技学院材料工程学院,南京211169;南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京210016;南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,210016

发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金项目(61176062);江苏省优势学科资助项目;金陵科技学院博士启动基金(jit-b-201206)

Investigation on Preparation of Polycrystalline Silicon by AIC and Epitaxial Growth of Polycrystalline Silicon by HWCVD at Low Temperature

TANG Zheng-xia;SHEN Hong-lie;JIANG Feng;ZHANG Lei

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 铝诱导晶化法(AIC)是一种低温制备大晶粒多晶硅薄膜的重要方法.本文分别基于Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层制备了AIC多晶硅薄膜,前者表面粗糙,后者表面光滑.以后者为籽晶层,在其上用HWCVD法300℃低温下外延生长了表面形貌与籽晶层相似的多晶硅薄膜.铝诱导晶化过程中,在原始非晶硅层中会形成多晶硅、非晶硅和铝的混合层,去除铝后残留的硅将使表面粗糙,而在原始铝层中则形成连续的多晶硅薄膜.Al/Al2O3/a-Si 叠层和a-Si/SiOx/Al叠层的上层分别是非晶硅层和铝层,发生层交换后,前者上层是硅铝混合层,因此表面粗糙,后者上层是连续的多晶硅薄膜,因此表面光滑.在AIC多晶硅薄膜表面外延生长多晶硅薄膜等效于铝诱导多晶硅的晶核在垂直于薄膜方向上的继续生长,因此外延生长的薄膜与AIC多晶硅薄膜呈现相似的枝晶状形貌.

中图分类号:

O484

唐正霞;沈鸿烈;江丰;张磊. AIC多晶硅薄膜的制备与其上HWCVD低温外延生长多晶硅薄膜的研究[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(6): 1757-1761.

TANG Zheng-xia;SHEN Hong-lie;JIANG Feng;ZHANG Lei. Investigation on Preparation of Polycrystalline Silicon by AIC and Epitaxial Growth of Polycrystalline Silicon by HWCVD at Low Temperature[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(6): 1757-1761.

[1]	许万里, 甘云海, 李悦文, 李彬, 郑有炓, 张荣, 修向前. 高均匀性6英寸GaN厚膜的高速率HVPE生长研究[J]. 人工晶体学报, 2025, 54(1): 11-16.
[2]	马超, 熊春艳, 徐源来, 赵培. 沉积温度对MOCVD法制备固体氧化物燃料电池GDC阻挡层性质的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2197-2204.
[3]	杨涛, 陈彩明, 黄瑜佳, 吴少平, 徐华蕊, 汪坤喆, 朱归胜. ITO/AgNWs/ITO薄膜的制备及其性能研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(7): 1150-1159.
[4]	徐玉琦, 李晴雯, 钟敏. 化学气相沉积制备高c轴取向的BiOI薄膜[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(5): 841-847.
[5]	初学峰, 黄林茂, 张祺, 谢意含, 胡小军. 铟锡氧(ITO)和氟锡氧(FTO)透明导电薄膜的表征与分析[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(5): 848-854.
[6]	张庆文, 单东明, 张虎, 丁然. 溶液空间限域法制备有机-无机杂化卤化铅钙钛矿单晶薄膜及其器件应用研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(4): 572-584.
[7]	郭钰, 刘春俊, 张新河, 沈鹏远, 张博, 娄艳芳, 彭同华, 杨建. 碳化硅同质外延质量影响因素的分析与综述[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(2): 210-217.
[8]	彭倩文, 吉祥. 退火温度对BCZT外延薄膜电学性能的影响及其导电机制分析[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(1): 82-89.
[9]	詹廷吾, 贾伟, 董海亮, 李天保, 贾志刚, 许并社. 多孔GaN薄膜的制备与光学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(9): 1599-1608.
[10]	南博洋, 洪瑞金, 陶春先, 王琦, 林辉, 韩朝霞, 张大伟. 基于金属锡掺杂浓度变化的光学性能可调谐ITO薄膜制备研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(9): 1617-1623.
[11]	陈根强, 赵浠翔, 于众成, 李政, 魏强, 林芳, 王宏兴. 异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 931-944.
[12]	宋长坤, 黄晓莹, 陈英鑫, 喻颖, 余思远. 半导体单量子点的分子束外延生长及调控[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 982-996.
[13]	汪正鹏, 张崇德, 孙新雨, 胡天澄, 崔梅, 张贻俊, 巩贺贺, 任芳芳, 顾书林, 张荣, 叶建东. 切割角蓝宝石基氧化镓薄膜MOCVD外延及日盲紫外光电探测器制备[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1007-1015.
[14]	李秉欣, 丁元丰, 芦红. 单晶α-Sn薄膜的外延生长及输运性质研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1025-1035.
[15]	林泽丰, 孙伟轩, 刘天想, 涂思佳, 倪壮, 柏欣博, 赵展艺, 张济全, 陈赋聪, 胡卫, 冯中沛, 袁洁, 金魁. 脉冲激光沉积技术制备超导薄膜的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1036-1051.