脉冲激光沉积法生长Nd:LUVO4薄膜

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (2): 219-223.

脉冲激光沉积法生长Nd:LUVO4薄膜

王晓霞;李红霞;张怀金;王继扬;沈明荣;方亮;宁兆元

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;苏州大学物理科学与技术学院,苏州,215006

出版日期:2005-04-15 发布日期:2021-01-20

Growth of Nd:LuVO4 Films by Pulsed Laser Deposition

WANG Xiao-xia;LI Hong-xia;ZHANG Huai-jin;WANG Ji-yang;SHEN Ming-rong;FANG Liang;NING Zhao-yuan

Online:2005-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用脉冲激光沉积技术在不同温度和氧分压下,在(100)Si片和抛光石英片上生长了一系列(200)面择优取向的Nd:LuVO4薄膜.利用X射线衍射分析了所制备薄膜的成膜情况,认为成膜较为适宜的温度为700℃,氧分压为10Pa.用棱镜耦合法测得了该薄膜的有效折射率为2.0452.利用扫描电镜(SEM)观察了Nd:LuVO4薄膜的表面形貌.

中图分类号:

O484

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