用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (2): 340-343.

用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究

张宇翔;王海燕;陈永生;杨仕娥;郜小勇;卢景霄;冯团辉;李瑞;郭敏

郑州大学物理工程学院,郑州,450052

出版日期:2005-04-15 发布日期:2021-01-20

Study on Polycrystalline Silicon Films Prepared by Rapid Photo-thermal Annealing

ZHANG Yu-xiang;WANG Hai-yan;CHEN Yong-sheng;YANG Shi-e;GAO Xiao-yong;LU Jing-xiao;FENG Tuan-hui;LI Rui;GUO Min

Online:2005-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅(a-Si:H)薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火(RPTA),得到了多晶硅薄膜.然后,进行XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等的测量.结果发现,a-Si:H薄膜在RPTA退火中,退火温度在750℃以上,晶化时间需要2min,退火温度在650℃以下,晶化时间则需要2.5h;晶化后,晶粒的优先取向是(111)晶向;退火温度850℃时,得到的晶粒最大,暗电导率也最大;退火温度越高,晶化程度越好;退火时间越长,晶粒尺寸越大;光子激励在RPTA退火中起着重要作用.

中图分类号:

O484

张宇翔;王海燕;陈永生;杨仕娥;郜小勇;卢景霄;冯团辉;李瑞;郭敏. 用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(2): 340-343.

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