立方氮化硼薄膜的气相沉积及过渡层对其附着性能的影响

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (2): 364-368.

立方氮化硼薄膜的气相沉积及过渡层对其附着性能的影响

贺琦;潘俊德;徐重;Russell F.Messier

太原理工大学表面工程研究所,太原,030024;Materials Research Institute,Pennsylvania State University,16802 PA,USA;太原理工大学表面工程研究所,太原,030024;Materials Research Institute,Pennsylvania State University,16802 PA,USA

出版日期:2005-04-15 发布日期:2021-01-20

Vapor Phase Deposition of Cubic Boron Nitride(cBN) Thin Films and Improvement of Its Adhesion by Interlayers

HE Qi;PAN Jun-de;XU Zhong;Russell F.Messier

Online:2005-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用非平衡磁控溅射物理气相沉积工艺,在单晶硅基片上合成了立方氮化硼薄膜,并且通过采用过渡层提高了立方氮化硼薄膜的附着力,过渡层分别是碳化硼(B4C)薄膜以及碳化硼(B4C)薄膜与B-C-N梯度层的复合层(B4C/B-C-N).同时,不同过渡层的存在使立方氮化硼薄膜的剥落机理产生变化.

中图分类号:

O484

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