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人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (5): 911-914.

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基于AlInGaAsP材料的应变平衡量子阱太阳能电池

孙强;许军;陈文浚;娄朝刚   

  1. 南开大学信息技术科学学院,天津,300071;中国电子科技集团公司第十八研究所,天津,300381;南开大学信息技术科学学院,天津,300071;东南大学电子工程系,南京210096
  • 发布日期:2021-01-20

Strain Balanced Quantum Well Solar Cells Based on AlInGaAsP Material

SUN Qiang;XU Jun;CHEN Wen-jun;LOU Chao-gang   

  • Published:2021-01-20

摘要: 近年来,基于晶格匹配的多结太阳能电池光电转换效率已经接近30;[1,2],中国电子科技集团公司第十八研究所三结GaInP/GaAs/Ge电池技术已经达到小批量生产水平.为了进一步提高多结太阳电池的转换效率,可以采用增加pn结的数量和优化三结电池子电池带宽组合等办法,但上述途径受到材料晶格匹配的限制,目前同时实现晶格匹配和最佳带宽的材料生长还存在一些问题.为此,我们采用与多结电池技术兼容的设备和材料,开展了基于AlInGaAsP材料的应变平衡量子阱太阳能电池的研究.本文给出GaAs单结量子阱电池的实验过程及结果,证实了量子阱结构的引入确实能够提高电池的输出电流.随着研究的深入,我们希望用此结构作为中间电池,以提高三结电池的效率.

关键词: 量子阱;太阳能电池;MOCVD;外延

中图分类号: