MOCVD生长InxGa1-Xn薄膜的表征

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (6): 1118-1121.

MOCVD生长InxGa1-Xn薄膜的表征

李亮;张荣;谢自力;张禹;修向前;刘成祥;毕朝霞;陈琳;刘斌;俞慧强;韩平;顾书林;施毅;郑有炓

江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093;江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093;北京科技大学物理系,北京,100083

出版日期:2005-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
科技部科研项目(G2000068305);国家科技攻关项目(2001AA311110;2003AA311060;2004AA311080);中国科学院资助项目(69976014;69806006;69987001;6039072;60476030);国家自然科学基金(60025411);江苏省自然科学基金(BK2003203)

Characterization of InxGa1-xN Layers Grown by MOCVD

LI Liang;ZHANG Rong;XIE Zi-li;ZHANG Yu;XIU Xiang-qian;LIU Cheng-xiang;BI Zhao-xia;CHEN Lin;LIU Bin;YU Hui-qiang;HAN ping;GU Shu-lin;SHI Yi;ZHENG You-dou

Online:2005-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响.InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上GaN缓冲层的生长以及缓冲层上InxGa1-xN薄膜的沉积两个过程.通过对所制备InxGa1-xN薄膜的XRD、SEM、AFM分析发现,调节生长温度和TMGa的流量可以有效控制InxGa1-xN薄膜中In的组分,并且随着生长温度的升高,InxGa1-xN薄膜的表面缺陷减少.

中图分类号:

O484

李亮;张荣;谢自力;张禹;修向前;刘成祥;毕朝霞;陈琳;刘斌;俞慧强;韩平;顾书林;施毅;郑有炓. MOCVD生长InxGa1-Xn薄膜的表征[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(6): 1118-1121.

LI Liang;ZHANG Rong;XIE Zi-li;ZHANG Yu;XIU Xiang-qian;LIU Cheng-xiang;BI Zhao-xia;CHEN Lin;LIU Bin;YU Hui-qiang;HAN ping;GU Shu-lin;SHI Yi;ZHENG You-dou. Characterization of InxGa1-xN Layers Grown by MOCVD[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(6): 1118-1121.

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