采用电化学技术制备SrMoO4薄膜的生长特性实验研究

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (3): 461-465.

采用电化学技术制备SrMoO4薄膜的生长特性实验研究

杨祖念;肖定全;余萍;安红娜;高道江;毕剑;金晓玲;陈连平;王辉

四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;四川教育学院物理系,成都,610041;四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;四川师范大学化学与生命科学学院,成都,610068;四川大学分析测试中心,成都,610064

出版日期:2006-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50410179);国家自然科学基金(50372042);霍英东教育基金(94008)

Experimental Researches on the Growth Characteristics of SrMoO4 Thin Film Prepared by Electrochemical Technique

ANG Zu-nian;XIAO Ding-quan;YU Ping;AN Hong-na;GAO Dao-jiang;BI Jian;JIN Xiao-ling;CHEN Lian-ping;WANG Hui

Online:2006-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用恒电流电化学技术直接在金属钼片上制备了具有白钨矿结构的钼酸锶(SrMoO4)多晶薄膜,着重在实验上研究了薄膜的晶体生长特性.研究表明,采用电化学技术制备SrMoO4晶态薄膜时,薄膜的生长具有如下特点:(1)晶核生成需要一定的时间,但晶核一旦生成,其形貌就比较完整;(2)晶核和晶粒优先选择在基体缺陷(折叠、划痕、缺陷、凹凸不平等)处生长和堆砌;(3)基体上晶粒的数量随着制备时间的增加而增加,晶粒的尺寸随着时间的增加而长大,晶粒逐渐从基体表面上的稀疏分布直到布满整个基体;(4)晶粒的{111}面总是显露的;(5)在薄膜生长的整个过程中,晶粒基本上以其c轴垂直于薄膜基体表面进行的.上述研究结果对进一步认识薄膜的晶体生长和利用电化学法制备晶态薄膜都具有重要意义.

中图分类号:

TB383
O646

杨祖念;肖定全;余萍;安红娜;高道江;毕剑;金晓玲;陈连平;王辉. 采用电化学技术制备SrMoO4薄膜的生长特性实验研究[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(3): 461-465.

ANG Zu-nian;XIAO Ding-quan;YU Ping;AN Hong-na;GAO Dao-jiang;BI Jian;JIN Xiao-ling;CHEN Lian-ping;WANG Hui. Experimental Researches on the Growth Characteristics of SrMoO4 Thin Film Prepared by Electrochemical Technique[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(3): 461-465.

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