7 MPa氮压下Na助熔剂法生长GaN晶体的研究

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (2): 203-207.

7 MPa氮压下Na助熔剂法生长GaN晶体的研究

周明斌;李振荣;范世(马岂);徐卓

西安交通大学电子材料研究所,电子陶瓷与器件教育部重点实验室,国际电介质研究中心,西安710049

出版日期:2013-02-15 发布日期:2021-01-20

Growth of GaN Crystals by Na Flux Method under 7 MPa Nitrogen Pressure

ZHOU Ming-bin;LI Zhen-rong;FAN Shi-ji;XU Zhuo

Online:2013-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用Na助熔剂法在7 MPa氮压下并引入较大温度梯度(20～70℃/cm),获得了大量毫米级的GaN晶体,GaN晶体产率高达70;以上.光学及SEM照片显示其晶形大部分为六方锥体.晶体粉末衍射分析表明,生成的GaN单晶具有六方纤锌矿结构,与标准卡片符合得很好,而单晶衍射图谱中出现(1011)的衍射峰,说明GaN单晶锥面为{1011},其(1011)面的摇摆曲线的半高宽仅为4.4 arcsec,室温下采用He-Cd 325 nm激光器激发的GaN单晶的PL谱,最高峰位于标准GaN材料的365nm处,峰的半高宽为13.5 nm,生长的GaN单晶完整性较高.

中图分类号:

O782

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