保持温度对偏轴磁控溅射法制备BiFeO3薄膜结构和性能的影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (2): 246-250.

保持温度对偏轴磁控溅射法制备BiFeO3薄膜结构和性能的影响

郝彦磊;刘保亭;彭增伟;贾冬梅;朱慧娟;张宪贵

河北大学物理科学与技术学院,保定,071002

出版日期:2013-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11074063);河北省应用基础研究计划重点项目(10963525D);高等学校博士点基金(20091301110002)

Effect of Retained Temperature on the Structure and Property of BiFeO3 Thin Film Prepared by Off-axis Magnetron Sputtering Method

HAO Yan-lei;LIU Bao-ting;PENG Zeng-wei;JIA Dong-mei;ZHU Hui-juan;ZHANG Xian-gui

Online:2013-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用偏轴磁控溅射方法在Pt/TiO2/SiO2/Si(111)基片上制备了多晶BiFeO3 (BFO)薄膜,并构架了Pt/BFO/Pt异质结电容器.利用X射线衍射(XRD)、铁电测试仪等手段研究了保持温度对BFO薄膜结构和性能的影响.XRD图谱表明制备的BFO薄膜均为多晶结构,在保持温度400℃±2℃的区间内得到的BFO薄膜不含明显杂相,其它的温度均有明显的杂相.在保持温度为400℃时得到了较为饱和的电滞回线,在900nm厚度的情况下,剩余极化强度仍可以达到Pr＞ 40 μC/cm2,达到了实际应用的要求Pr＞10μC/cm2.漏电流拟合机制表明在低场下属于欧姆机制,在高场下比较接近空间电荷限制电流(SCLC)机制.

中图分类号:

O614.53+2

郝彦磊;刘保亭;彭增伟;贾冬梅;朱慧娟;张宪贵. 保持温度对偏轴磁控溅射法制备BiFeO3薄膜结构和性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(2): 246-250.

HAO Yan-lei;LIU Bao-ting;PENG Zeng-wei;JIA Dong-mei;ZHU Hui-juan;ZHANG Xian-gui. Effect of Retained Temperature on the Structure and Property of BiFeO3 Thin Film Prepared by Off-axis Magnetron Sputtering Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(2): 246-250.