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人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (2): 268-272.

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ZnAl2O4的电子结构及光学性质的第一性原理计算

可祥伟;张蓉;杨春燕;刘骞;张利民   

  1. 西北工业大学理学院,空间应用物理与化学教育部重点实验室,西安710072;中国空间电子技术研究院,西安,710000
  • 出版日期:2013-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    西北工业大学基础研究基金(JC201272);国家自然科学基金(51074129)资助课题

First-principle Calculation of Electronic Structure and Optical Properties of ZnAl2O4

KE Xiang-wei;ZHANG Rong;YANG Chun-yan;LIU Qian;ZHANG Li-min   

  • Online:2013-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对ZnAl2O4的能带结构、态密度、布居分布及光学性质进行了理论计算.结果表明:ZnAl2O4为直接带隙半导体,能带宽度为3.91 eV;价带主要由O2p态和Zn3d态构成,导带主要由Al3s,3p态构成;ZnAl2O4为离子和共价兼有的化合物;并利用计算的能带结构和态密度分析了ZnAl2O4材料的复介电函数,光电导率,折射率以及消光系数等光学性质.且静态介电函数ε1(0)=3.35,静态折射率n0 =1.83.

关键词: ZnAl2O4;电子结构;布居分布;光学性质

中图分类号: