多晶硅薄膜结晶团晶化机理的研究

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (2): 278-281.

多晶硅薄膜结晶团晶化机理的研究

靳瑞敏;蔡志端;苍利民;阎韬;徐建军;栗书增

南阳理工学院太阳能电池研究所,南阳473004;安彩高科股份有限公司博士后工作站,安阳455000;郑州大学物理工程学院,郑州450052;安彩高科股份有限公司博士后工作站,安阳,455000

出版日期:2013-02-15 发布日期:2021-01-20

Research on the Formation Mechanism of Crystal Group in Fabricating Poly-Si Thin Film

JIN Rui-min;CAI Zhi-duan;CANG Li-min;YAN Tao;XU Jian-jun;LI Shu-zeng

Online:2013-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文用PECVD法在石英玻璃上沉积非晶硅薄膜,然后用快速光退火和传统电阻炉退火方法晶化生长多晶硅薄膜,用拉曼光谱仪、XRD和场发射扫描电镜观察分析薄膜,发现在制备的多晶硅薄膜表面存在结晶团现象,并对这一现象的晶化机理进行了分析.

中图分类号:

TM914.4+2

靳瑞敏;蔡志端;苍利民;阎韬;徐建军;栗书增. 多晶硅薄膜结晶团晶化机理的研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(2): 278-281.

JIN Rui-min;CAI Zhi-duan;CANG Li-min;YAN Tao;XU Jian-jun;LI Shu-zeng. Research on the Formation Mechanism of Crystal Group in Fabricating Poly-Si Thin Film[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(2): 278-281.

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