等离子体射频功率对微晶硅薄膜微结构及其特性影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (3): 418-422.

等离子体射频功率对微晶硅薄膜微结构及其特性影响

张林睿;周炳卿;张丽丽;李海泉

内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与化学自治区重点实验室,呼和浩特010022

出版日期:2013-03-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51262022);内蒙古自然科学基金(2009MS0806)

Influence of RF-power on Microstructure and Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films

ZHANG Lin-rui;ZHOU Bing-qing;ZHANG Li-li;LI Hai-quan

Online:2013-03-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术在低温、高沉积压力的条件下制备微晶硅薄膜材料.在优化其它沉积参数的条件下,研究等离子功率密度对微晶硅薄膜材料微结构的影响.通过X射线衍射谱,拉曼光谱,红外吸收谱以及SEM来表征了微晶硅薄膜材料的微结构.结果显示:随着射频功率的增加,微晶硅薄膜的晶化率提高,晶粒尺度减小,薄膜呈小晶粒生长,薄膜中氢含量减少,微结构因子增加,薄膜生长表现出不均匀性.

中图分类号:

O484

张林睿;周炳卿;张丽丽;李海泉. 等离子体射频功率对微晶硅薄膜微结构及其特性影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(3): 418-422.

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