摘要: 传统的方法很难直接在硅衬底上制备外延的氧化物铁电电容器,本实验采用生长在硅衬底上的外延SrTiO3为模板,直接生长了SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器异质结,并对其结构及性能进行了研究.X射线衍射表明所制备的SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3异质结实现了在硅衬底上的外延生长.在5V测试电压下,铁电电容器的剩余极化强度和矫顽电压分别为19.6μC/cm2和0.8V.当极化翻转次数达到1010时,铁电电容器的极化强度没有明显的衰减,表明SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器具有良好的抗疲劳性能.
中图分类号:
朱慧娟;刘保亭;代秀红;郭建新;周阳. 硅基外延SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器的结构和性能研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(3): 428-431.
ZHU Hui-juan;LIU Bao-ting;DAI Xiu-hong;GUO Jian-xin;ZHOU yang. Structure and Properties of Si Based Epitaxial SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3 Capacitor[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(3): 428-431.