欢迎访问《人工晶体学报》官方网站,今天是 分享到:

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (3): 428-431.

• • 上一篇    下一篇

硅基外延SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器的结构和性能研究

朱慧娟;刘保亭;代秀红;郭建新;周阳   

  1. 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002
  • 出版日期:2013-03-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(11074063);河北省应用基础研究计划重点项目(10963525D);高等学校博士点基金(20091301110002);河北省自然科学基金(E2011201092)

Structure and Properties of Si Based Epitaxial SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3 Capacitor

ZHU Hui-juan;LIU Bao-ting;DAI Xiu-hong;GUO Jian-xin;ZHOU yang   

  • Online:2013-03-15 Published:2021-01-20

摘要: 传统的方法很难直接在硅衬底上制备外延的氧化物铁电电容器,本实验采用生长在硅衬底上的外延SrTiO3为模板,直接生长了SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器异质结,并对其结构及性能进行了研究.X射线衍射表明所制备的SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3异质结实现了在硅衬底上的外延生长.在5V测试电压下,铁电电容器的剩余极化强度和矫顽电压分别为19.6μC/cm2和0.8V.当极化翻转次数达到1010时,铁电电容器的极化强度没有明显的衰减,表明SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器具有良好的抗疲劳性能.

关键词: 硅衬底;外延生长;SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3异质结

中图分类号: