区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (3): 456-460.

区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算

曲翔;陈海滨;方锋;汪丽都;周旗钢;闫志瑞

北京有色金属研究总院,北京100088;有研半导体材料股份有限公司,北京100088;国泰半导体材料有限公司,北京,101300;有研半导体材料股份有限公司,北京,100088;北京有色金属研究总院,北京,100088;有研半导体材料股份有限公司,北京100088;国泰半导体材料有限公司,北京101300

出版日期:2013-03-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
硅材料设备应用工程(41091)

Theoretical Calculation on Resistivity of Float-Zone Silicon Single Crystal Using Gas Doping

QU Xiang;CHEN Hai-bin;FANG Feng;WANG Li-du;ZHOU Qi-gang;YAN Zhi-rui

Online:2013-03-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 气相掺杂法因其简易灵活、生产周期短、成本较低的优点成为生产区熔硅单晶重要的辅助方法.本文根据区熔(FZ)硅单晶气相掺杂原理,结合单晶生长速度、单晶直径、气体流量、气体浓度、掺杂物的分凝、单晶对掺杂气体吸收率等一系列生长条件,进行理论计算并与实际生产相结合,进一步推算出掺杂量与电阻率关系的公式.通过该公式,可以更加准确控制气相掺杂硅单晶的电阻率,使理论计算与实际电阻率误差从20;降低到10;,从而降低生产成本.

中图分类号:

O734

曲翔;陈海滨;方锋;汪丽都;周旗钢;闫志瑞. 区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(3): 456-460.

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