ZnO微米刺球的CVD法生长及其在压电应力传感器中的应用

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (9): 1746-1749.

ZnO微米刺球的CVD法生长及其在压电应力传感器中的应用

刘欣;胡礼中;张贺秋;邱宇;赵宇;骆英民

大连理工大学物理与光电工程学院,大连,116024

出版日期:2013-09-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60777009);辽宁省教育厅重点实验室开放基金项目(20060131);教育部博士点基金(20070141038);大连理工大学中央高校基本科研业务费专项资金资助(DUT11LK46)

Application of ZnO Micro-thornyball Prepared by CVD Method in Piezoelectric Strain Sensor

LIU Xin;HU Li-zhong;ZHANG He-qiu;QIU Yu;ZHAO Yu;LUO Ying-min

Online:2013-09-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用化学气相沉积(CVD)方法生长出一种新颖的氧化锌(ZnO)微米刺球状结构,并使用该结构制备出一种新型压电应力传感器件.使用半导体特性分析系统(Keithley 4200)对器件特性进行测试,结果表明该种器件对所施加的应力高度敏感,开关比高达约60,比目前多数ZnO基压电应力传感器件高出数倍,在应力检测和机电开关等领域有很好的应用前景.

中图分类号:

TM23
TN384

刘欣;胡礼中;张贺秋;邱宇;赵宇;骆英民. ZnO微米刺球的CVD法生长及其在压电应力传感器中的应用[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(9): 1746-1749.

LIU Xin;HU Li-zhong;ZHANG He-qiu;QIU Yu;ZHAO Yu;LUO Ying-min. Application of ZnO Micro-thornyball Prepared by CVD Method in Piezoelectric Strain Sensor[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(9): 1746-1749.

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