放电功率对VHF-PECVD微晶硅薄膜生长过程的影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (11): 2246-2251.

放电功率对VHF-PECVD微晶硅薄膜生长过程的影响

杨仕娥;崔宗超;郭巧能;陈永生;李艳阳;卢景霄

郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;济源职业技术学院电气工程系,济源,459000

出版日期:2013-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB201606);国家自然科学基金(11204276,51007082)

Effect of Discharge Power on the Growth Process of VHF-PECVD Microcrystalline Silicon Films

YANG Shi-e;CUI Zong-chao;GUO Qiao-neng;CHEN Yong-sheng;LI Yan-yang;LU Jing-xiao

Online:2013-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用基于有限元的数值模拟方法,研究了VHF-PECVD法制备微晶硅薄膜的等离子体放电和气相反应过程,模拟了放电功率对等离子体特性及气相化学的影响,并与光发射谱(OES)在线监测结果进行了比较.模拟结果表明:当放电功率从30 W增大至70W时,等离子体中心区域的电子温度t基本保持不变,电子浓度ne和等离子体电势Φ线性增大;气相中H和SiH3等基元浓度逐渐增大,二者的浓度比nH/nSiH3亦随功率单调增大,模拟结果与OES测量结果吻合的很好.最后,根据数值模拟结果,对实验上不同放电功率下微晶硅薄膜的生长特性进行了解释.

中图分类号:

O461
O484

杨仕娥;崔宗超;郭巧能;陈永生;李艳阳;卢景霄. 放电功率对VHF-PECVD微晶硅薄膜生长过程的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(11): 2246-2251.

YANG Shi-e;CUI Zong-chao;GUO Qiao-neng;CHEN Yong-sheng;LI Yan-yang;LU Jing-xiao. Effect of Discharge Power on the Growth Process of VHF-PECVD Microcrystalline Silicon Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(11): 2246-2251.