H2流量对直流磁控溅射制备a-Si∶H薄膜微观结构及光学性能的影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (11): 2280-2287.

H2流量对直流磁控溅射制备a-Si∶H薄膜微观结构及光学性能的影响

乔泳彭;蒋百灵;鲁媛媛;牛毅;张岩

西安理工大学材料科学与工程学院,西安,710048;西安黄河光伏科技股份有限公司,西安,710043

出版日期:2013-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51271144)

Effect of H2 Flow Rates on the Microstructure and Optical Properties of a-Si∶ H Films Prepared by DC Magnetron Sputtering

QIAO Yong-peng;JIANG Bai-ling;LU Yuan-yuan;NIU Yi;ZHANG Yan

Online:2013-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用直流磁控溅射法在不同H2流量的条件下制备了a-Si∶H薄膜,研究了H2流量对薄膜微观结构以及光学性能的影响.结果表明:随H2流量的增加,a-Si∶H薄膜的沉积速率有所下降,但其原子排列的有序度上升,并出现了细小的纳米晶粒,使得薄膜的无序结构得到了一定改善.同时,薄膜的光学性能也表现出明显变化,其中透过率持续上升,而光学带隙则呈现出先增大后减小的趋势.最终得到制备a-Si∶H薄膜的最优H2流量为15 sccm.

中图分类号:

TB321

乔泳彭;蒋百灵;鲁媛媛;牛毅;张岩. H2流量对直流磁控溅射制备a-Si∶H薄膜微观结构及光学性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(11): 2280-2287.

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