摘要： 采用RF-PECVD沉积技术制备P型非晶硅薄膜材料,研究硼烷浓度和加热温度对薄膜性能的影响.通过对两者优化,制备出了宽光学带隙、高电导率和致密性较好的P型非晶硅材料.作为窗口层应用到HIT太阳电池中,对其厚度进行优化,在N型单晶硅衬底上制备出了效率为14.28;的HIT太阳电池.
中图分类号:
齐晓光;杨瑞霞;雷青松;薛俊明. P型非晶硅薄膜制备及其在HIT太阳电池中应用[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(2): 280-284.
QI Xiao-guang;YANG Rui-xia;LEI Qing-song;XUE Jun-ming. Fabrication of P-type a-Si∶H Thin Films and Its Application in HIT Solar Cells[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2014, 43(2): 280-284.
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