光辐照对单根In掺杂ZnO纳米线电学性质的影响

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (2): 345-349.

光辐照对单根In掺杂ZnO纳米线电学性质的影响

王明姣;高红;温静;唐欣月;张锷

哈尔滨师范大学物理与电子工程学院,光电带隙材料省部共建教育部重点实验室,哈尔滨150025

出版日期:2014-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11074060,51172058);黑龙江省教育厅科学技术研究重点项目(12521z012)

Influence of UV Irradiation for Electrical Properties of Individual In Doped ZnO Nanowires

WANG Ming-jiao;GAO Hong;WEN Jing;TANG Xin-yue;ZHANG E

Online:2014-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 通过化学气相沉积方法成功制备了高质量的In掺杂ZnO纳米线.选用325 nm的He-Cd激光器做为光源,进一步探究了单根In掺杂ZnO纳米线的光响应特性.结果表明:紫外光辐照可使金属电极与纳米线之间的有效肖特基接触势垒下降,使接触类型由肖特基接触转变到欧姆接触;撤去紫外光后,电极与纳米线之间的接触可以恢复到未光照时的肖特基接触.讨论了肖特基接触与欧姆接触之间转变的物理机制.

中图分类号:

TN304

王明姣;高红;温静;唐欣月;张锷. 光辐照对单根In掺杂ZnO纳米线电学性质的影响[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(2): 345-349.

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