绝缘体上全局应变硅晶圆的制备和表征

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (2): 420-425.

绝缘体上全局应变硅晶圆的制备和表征

刘旭焱;王爱华;崔明月;秦怡;鲁道邦;李根全

南阳师范学院物理与电子工程学院,南阳,473061

出版日期:2014-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61306007);河南省教育厅科学技术研究重点项目(14A510004);南阳师范学院专项项目(ZX2012017)

Fabrication and Characterization of Global Strained Si on Insulator

LIU Xu-yan;WANG Ai-hua;CUI Ming-yue;QIN Yi;LU Dao-bang;LI Gen-quan

Online:2014-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 首先使用改良型Ge浓缩法制备了绝缘体上锗硅圆片,然后在超薄弛豫SiGe层上,利用超高真空化学气相沉积法外延了单晶硅薄膜,获得一系列不同厚度的6寸绝缘体上应变硅晶圆.结果表明应变硅薄膜完整、均匀、表面平整且晶体质量良好,获得样品中顶层硅最大应力值达2.22 GPa.应用临界厚度理论对样品厚度和应变值之间的关系进行了分析,发现本实验所得样品在超过临界厚度3倍之后会发生应变弛豫.

中图分类号:

TN304

刘旭焱;王爱华;崔明月;秦怡;鲁道邦;李根全. 绝缘体上全局应变硅晶圆的制备和表征[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(2): 420-425.

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