生长温度对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (2): 461-464.

生长温度对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响研究

杨园静;涂洁磊;李雷;姚丽

云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;文山学院信息科学学院,文山663000;云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;楚雄师范学院物理与电子科学系,楚雄675000;云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;大理学院电子工程及自动化系,大理671003

出版日期:2014-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
云南省科技计划重点项目(2009CC012);国家高技术发展计划(863计划)(2011AA050512)

Study on the Effect of Growth Temperatures on the Performance of InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells

YANG Yuan-jing;TU Jie-lei;LI Lei;YAO Li

Online:2014-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： InAs/GaAs量子点的生长形貌和特性受不同生长环境和生长条件影响.本文借助光致发光光谱(PL)特性表征方法,通过实验生长,对比研究不同生长温度下获得的量子点性能,结合当前三结叠层GaInP/GaAs/C-e(2-terminal)电池存在的问题,以及该电池的设计、制作要求,分析了InAs量子点的不同生长温度对于具有量子点结构的中电池吸收的影响.

中图分类号:

TN304.2

杨园静;涂洁磊;李雷;姚丽. 生长温度对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(2): 461-464.

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