摘要: 建立了多晶硅化学气相沉积反应的三维模型,同时考虑质量、能量和动量传递,利用CFD软件对炉内的流动、传热和化学反应过程进行了数值模拟,并分析了硅沉积速率、SiHC13转化率、硅产率以及单位能耗随H2摩尔分数的变化规律.结果表明:计算结果与文献数据吻合较好;随着硅棒高度的增加,硅沉积速率不断增大;最佳的进气H2摩尔分数范围为0.8 ~0.85.
中图分类号:
夏小霞;周乃君;王志奇. 多晶硅化学气相沉积反应的三维数值模拟[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(3): 569-575.
XIA Xiao-xia;ZHOU Nai-jun;WANG Zhi-qi. Three-dimensional Numerical Simulation of Chemical Vapor Deposition of Polysilicon[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(3): 569-575.