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人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (3): 569-575.

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多晶硅化学气相沉积反应的三维数值模拟

夏小霞;周乃君;王志奇   

  1. 中南大学能源科学与工程学院,长沙410083;湘潭大学机械工程学院,湘潭411105;中南大学能源科学与工程学院,长沙,410083;湘潭大学机械工程学院,湘潭,411105
  • 出版日期:2014-03-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    湖南省科技计划重点项目(2009GK2009);湖南省教育厅一般项目(12C0379)

Three-dimensional Numerical Simulation of Chemical Vapor Deposition of Polysilicon

XIA Xiao-xia;ZHOU Nai-jun;WANG Zhi-qi   

  • Online:2014-03-15 Published:2021-01-20

摘要: 建立了多晶硅化学气相沉积反应的三维模型,同时考虑质量、能量和动量传递,利用CFD软件对炉内的流动、传热和化学反应过程进行了数值模拟,并分析了硅沉积速率、SiHC13转化率、硅产率以及单位能耗随H2摩尔分数的变化规律.结果表明:计算结果与文献数据吻合较好;随着硅棒高度的增加,硅沉积速率不断增大;最佳的进气H2摩尔分数范围为0.8 ~0.85.

关键词: 多晶硅;化学气相沉积;数值模拟;沉积速率

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