射频功率对Si薄膜微观结构及电学性能的影响

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (11): 2835-2839.

射频功率对Si薄膜微观结构及电学性能的影响

郝娟;蒋百灵;杨超;董丹;张彤晖

西安理工大学材料科学与工程学院,西安,710048

出版日期:2014-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51271144)

Influence of RF Power on Microstructure and Electrical Properties of Si Thin Films

HAO Juan;JIANG Bai-ling;YANG Chao;DONG Dan;ZHANG Tong-hui

Online:2014-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了不同射频功率的Si薄膜,并对其进行真空退火处理.研究了射频功率和退火处理对薄膜微观结构和电学性能的影响,并总结了不同电场环境对薄膜原子排列有序度的影响规律.结果表明:随射频功率的增加,Si薄膜的非晶结构无实质改变,但其少子寿命明显增强;经800℃真空退火处理后,Si薄膜的微观结构均由非晶态转变为晶态,晶化程度达60;以上,且少子寿命达到20 μs以上.

中图分类号:

TB321

郝娟;蒋百灵;杨超;董丹;张彤晖. 射频功率对Si薄膜微观结构及电学性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(11): 2835-2839.

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