不同生长方向的GaN纳米线的可控制备与性能表征

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (2): 389-393.

不同生长方向的GaN纳米线的可控制备与性能表征

吴东旭;郑学军;程宏斌;李佳;罗晓菊

上海理工大学机械工程学院,上海,200093;上海理工大学材料科学与工程学院,上海,200093

出版日期:2015-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51272158);长江学者和创新团队发展计划(IRT-14R48)

Controlled Fabrication and Performance Characterization of Oriented GaN Nanowires

WU Dong-xu;ZHENG Xue-jun;CHENG Hong-bin;LI Jia;LUO Xiao-ju

Online:2015-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用化学气相沉积法,通过改变催化剂和衬底,以Ga2 O3和GaN的混合粉末为镓源制备出了不同生长方向的GaN纳米线,制备的平躺于衬底的GaN纳米线的直径约为60 nm,长度为10 μm到30 μm之间.垂直于衬底的GaN纳米线阵列的直径约为300 nm,长度约为5μm.使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行了分析表征,结果表明所得样品为六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过改变催化剂和衬底等生长条件,研究了衬底和催化剂对纳米线生长方向的影响,为以后的大量制备以及纳米器件的制作提供了依据.

中图分类号:

O614.37

吴东旭;郑学军;程宏斌;李佳;罗晓菊. 不同生长方向的GaN纳米线的可控制备与性能表征[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(2): 389-393.

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