高气压高功率条件下MPCVD法制备金刚石单晶

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (4): 967-971.

高气压高功率条件下MPCVD法制备金刚石单晶

史玉芬;周学芹;李坤;刘小利

常州大学材料科学与工程学院,常州213164;常州宝颐金刚石科技有限公司,常州213022;常州大学材料科学与工程学院,常州,213164;常州宝颐金刚石科技有限公司,常州,213022

出版日期:2015-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51372044)

Synthesis of Diamond Single Crystal by MPCVD at High Gas Pressure and High Microwave Power

SHI Yu-fen;ZHOU Xue-qin;LI Kun;LIU Xiao-li

Online:2015-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用自主研发的圆柱谐振腔式MPCVD设备,在工作气压28 kPa,微波功率5 kW的条件下成功制备金刚石单晶,并采用光学显微镜、激光拉曼谱(Raman)技术对样品进行表征.结果表明,在高气压高功率条件下单晶的沉积速率高达26 μm/h,且表面形貌平整.

中图分类号:

TQ164

史玉芬;周学芹;李坤;刘小利. 高气压高功率条件下MPCVD法制备金刚石单晶[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(4): 967-971.

SHI Yu-fen;ZHOU Xue-qin;LI Kun;LIU Xiao-li. Synthesis of Diamond Single Crystal by MPCVD at High Gas Pressure and High Microwave Power[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(4): 967-971.

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Synthesis of Diamond Single Crystal by MPCVD at High Gas Pressure and High Microwave Power

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