摘要: 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,研究了单硫空位缺陷扶手椅型二硫化钼纳米带(AMoS2NR)的结构与电子性质.结果表明,优化的AMoS2NR纳米带边缘上Mo原子较S原子向纳米带内侧收缩;引入空位缺陷后,边缘上Mo原子向纳米带内侧收缩加剧,稳定性降低;空位缺陷纳米带相比完整纳米带,带隙减小;同时,空位缺陷处原子部分态密度降低,相应的能带线分布稀疏.
中图分类号:
林春丹;赵红伟;杨振清;邵长金. 单空位缺陷扶手椅型MoS2纳米带结构与电子性质研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(4): 1036-1040.
LIN Chun-dan;ZHAO Hong-wei;YANG Zhen-qing;SHAO Chang-jin. Geometries and Electronic Properties of Armchair MoS2 Nanoribbons with Single Vacancy Defect[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(4): 1036-1040.