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人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (4): 1036-1040.

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单空位缺陷扶手椅型MoS2纳米带结构与电子性质研究

林春丹;赵红伟;杨振清;邵长金   

  1. 中国石油大学(北京)理学院,北京,102249
  • 出版日期:2015-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    中国石油大学(北京)基础科研基金(KYJJ2012-06-26)

Geometries and Electronic Properties of Armchair MoS2 Nanoribbons with Single Vacancy Defect

LIN Chun-dan;ZHAO Hong-wei;YANG Zhen-qing;SHAO Chang-jin   

  • Online:2015-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,研究了单硫空位缺陷扶手椅型二硫化钼纳米带(AMoS2NR)的结构与电子性质.结果表明,优化的AMoS2NR纳米带边缘上Mo原子较S原子向纳米带内侧收缩;引入空位缺陷后,边缘上Mo原子向纳米带内侧收缩加剧,稳定性降低;空位缺陷纳米带相比完整纳米带,带隙减小;同时,空位缺陷处原子部分态密度降低,相应的能带线分布稀疏.

关键词: 二硫化钼;空位缺陷;电子性质;密度泛函理论;第一性原理

中图分类号: