溅射时间对室温沉积ITO薄膜光电性能的影响

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (4): 1051-1055.

溅射时间对室温沉积ITO薄膜光电性能的影响

黄成亮;李永波;张勇;王明;张塬昆;贾增民

山东非金属材料研究所,济南,250031;装甲兵驻济南地区军事代表室,济南,250031

出版日期:2015-04-15 发布日期:2021-01-20

Influence of Sputtering Time on the Photoelectric Properties of ITO Thin Films Deposited at Room Temperature

HUANG Cheng-liang;LI Yong-bo;ZHANG Yong;WANG Ming;ZHANG Yuan-kun;JIA Zeng-min

Online:2015-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用对靶磁控溅射方法在尺寸为6 cm×6 cm有机玻璃衬底上室温沉积ITO透明导电氧化物薄膜,重点研究了沉积时间对于ITO薄膜导电性、可见光透光性以及红外发射特性的影响.结果发现随溅射时间延长,薄膜厚度呈线性增加;XRD分析显示薄膜逐渐由非晶结构转变为(400)与(440)取向的多晶结构;薄膜导电性能提高,电阻率整体迅速下降,在溅射时间为60 min时达到最小为2.1×10-4Ω·cm,载流子浓度达到最高值为1.2×1021 cm-3,同时薄膜红外发射率最低可达0.17;薄膜可见光透光率逐渐下降,并且在紫外光区域出现一定红移.

中图分类号:

O484

黄成亮;李永波;张勇;王明;张塬昆;贾增民. 溅射时间对室温沉积ITO薄膜光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(4): 1051-1055.

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