MOCVD法在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜的性能研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (7): 1790-1793.

MOCVD法在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜的性能研究

孙孪鸿;邹军;徐家跃;李文博

上海应用技术学院,上海,201418;江西晶能光电股份有限公司,南昌,330029

出版日期:2015-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金青年基金(51302171);上海应用技术学院人才计划项目(YJ2014-04);上海市学科能力建设项目(14500503300);上海联盟计划项目(LM201318);上海市产学研合作项目(沪CXY-2013-61)

Properties of GaN Thin Film Grown on Sapphire Substrate by MOCVD Method

SUN Luan-hong;ZOU Jun;XU Jia-yue;LI Wen-bo

Online:2015-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用MOCVD法分别在a面和c面蓝宝石衬底上生长出7层InGaN/GaN多量子阱结构的GaN薄膜,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪、吸收光谱等手段对样品进行表征.分析表明:a面蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜(样品A)的FWHM为781.2 arcsec,c面蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜(样品B)的FWHM为979.2 arcsec.样品A和样品B中存在的压应力分别为0.8523 GPa和1.2714 GPa,薄膜的能带宽度(理论值为3.4 eV)分别为3.38 eV和3.37 eV.以上数据表明a面蓝宝石衬底上生长出来GaN薄膜的结晶质量较好,光学性能更优异.

中图分类号:

O484

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