In/Mg掺杂ZnO纳米锥电子结构及场发射性能

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (7): 1897-1904.

In/Mg掺杂ZnO纳米锥电子结构及场发射性能

何银花;王发展

西安建筑科技大学材料与矿资学院,西安,710055;西安建筑科技大学材料与矿资学院,西安710055;西安建筑科技大学机电工程学院,西安710055

出版日期:2015-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家科技支撑计划(2011BAE31B02);陕西省自然科学基础研究计划重点项目(2011J2009)

Electronic Structures and Field Emission Properties of ZnO Nanocones Doped with In/Mg

HE Yin-hua;WANG Fa-zhan

Online:2015-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以第一性原理计算方法为基础,研究了不同构型的ZnO-NC(氧化锌纳米锥),得到了五种稳定的几何结构,电子结构分析表明Zn-Zn(4P)的场发射性能最优.在此基础上,进一步研究了In/Mg掺杂Zn-Zn(4P)体系的场发射性能,结果表明:掺杂使结构稳定性增强,相比掺Mg和未掺体系,掺In提高了LDOS(局域态密度)峰值且峰位更靠近EF(费米能级),尖端电子密度增大;根据Mulliken电荷、HOMO(最高占据分子轨道)-LUMO(最低未占据分子轨道)能隙及有效功函数的计算,可知In-In(4P)具有更优异的场发射性能.

中图分类号:

O469

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