PI衬底n-i-p结构非晶硅薄膜太阳能电池的制备

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (9): 2350-2353.

PI衬底n-i-p结构非晶硅薄膜太阳能电池的制备

李旺;刘石勇;刘路;王仕鹏;黄海燕;牛新伟;陆川

浙江正泰太阳能科技有限公司,杭州310053;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027;浙江正泰太阳能科技有限公司,杭州,310053

出版日期:2015-09-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA052401)

Fabrication of n-i-p Type Amorphous Silicon Thin Films Solar Cells on PI Substrates

LI Wang;LIU Shi-yong;LIU Lu;WANG Shi-peng;HUANG Hai-yan;NIU Xin-wei;LU Chuan

Online:2015-09-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用传统硅薄膜太阳能电池生产设备、以硬质玻璃为载板,在低透光率的聚酰亚胺(PI)衬底上制备了n-i-p结构的单结非晶硅(a-Si)薄膜太阳能电池组件,并通过掩膜绝缘和激光划分绝缘组合的方式在同一块PI衬底上实现了多节电池串联一体的结构.封装后电池组件的有效发电面积的转化效率达到5.13;,电池的转化效率还存在较大的提升空间.

中图分类号:

TM914.4

李旺;刘石勇;刘路;王仕鹏;黄海燕;牛新伟;陆川. PI衬底n-i-p结构非晶硅薄膜太阳能电池的制备[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(9): 2350-2353.

LI Wang;LIU Shi-yong;LIU Lu;WANG Shi-peng;HUANG Hai-yan;NIU Xin-wei;LU Chuan. Fabrication of n-i-p Type Amorphous Silicon Thin Films Solar Cells on PI Substrates[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(9): 2350-2353.

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