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人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (9): 2390-2393.

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Y、V共掺杂CaBi4Ti4O15陶瓷的结构及电性能研究

李丹洋;何新华;符小艺   

  1. 华南理工大学材料科学与工程学院,广州,510640
  • 出版日期:2015-09-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(21103052);广东省科技计划项目(2007A010500012)

Structure and Electrical Properties of Yttrium and Vanadium Co-doped CaBi4Ti4O15 Ceramics

LI Dan-yang;HE Xin-hua;FU Xiao-yi   

  • Online:2015-09-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用固相烧结法制备了Y、V共掺杂的CaBi4Ti4O15陶瓷(简称CYBTV).Y、V共掺杂有利于陶瓷晶粒沿c轴方向生长,提高瓷体致密度.测量和分析了不同频率下CYBTV陶瓷的交流电导率σ.c和直流电导率σdc随温度(300~ 1150 K)的变化以及陶瓷的复阻抗谱.σac在不同温区表现出不同程度的频率和温度相关性:在低温区,σac随着频率的升高而增大;在高温区,σac随着温度的升高而增大.CBT基材料的复阻抗响应主要与晶粒电阻电容有关,Y、V共掺杂后,陶瓷的晶粒电阻率显著增大,从而导致材料电阻率的提高.

关键词: CaBi4Ti4O15;Y、V共掺杂;电导率;复阻抗

中图分类号: