欢迎访问《人工晶体学报》官方网站,今天是 分享到:

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (10): 2804-2809.

• • 上一篇    下一篇

n-GaInP2/p-Ge异质结热光伏电池特性分析

纪伟伟;张超;张德亮;乔在祥   

  1. 中国电子科技集团公司第十八研究所,天津,300384;山东省军区71496部队,烟台,265800
  • 出版日期:2015-10-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家高技术研究发展计划(863计划)(11G20047)

Characteristics Analysis of n-GaInP2/p-Ge Heterojunction Thermophotovoltaic Cells

JI Wei-wei;ZHANG Chao;ZHANG De-liang;QIAO Zai-xiang   

  • Online:2015-10-15 Published:2021-01-20

摘要: 热光伏电池是当前研究的热点,目前同质结Ge电池的研究较为常见,而GaInP2/Ge异质结电池还未见相关报道.本文首先对比GaInPJGe异质结与GaInP2/Ge/Ge同质结的能带图,发现异质结界面处的阶跃势垒位于内建电场内部,以至于阶跃势垒不影响载流子输运,能提高器件的性能.然后通过MOCVD在P型Ge衬底上外延高质量、宽带隙的单晶GaInP2层,并进行TEM-EDX线性扫描、Ⅰ-Ⅴ测试,研究结果表明,利用MOCVD技术制备的GaInP2/Ge异质结界面陡峭且GaInP2并未向Ge内扩散;通过优化器件工艺4 cm2全面积电池效率最终达到5.18; (AM1.5,25℃).根据J-V曲线方程推算出串并联电阻(Rs、Rsh)、反向饱和电流密度(J0)和二极管品质因子(A)等参数,为电池性能的进一步提高获得主要的突破路径.

关键词: 热光伏;Ge;GaInP2;异质结;J-V特性

中图分类号: