宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的研究进展

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (11): 2943-2953.

宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的研究进展

张宏哲;王林军;夏长泰;赛青林;肖海林

上海大学,上海200444;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800;上海大学,上海,200444;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

出版日期:2015-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
上海市科委科技攻关(13111103700);国家自然科学基金(61176072)

Research Progress of Wide-gap Semiconductor β-Ga2O3 Single Crystal

ZHANG Hong-zhe;WANG Lin-jun;XIA Chang-tai;SAI Qing-lin;XIAO Hai-lin

Online:2015-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本论文综述了宽禁带半导体β-Ga2O3材料的研究进展,包括晶体结构,生长方法,掺杂离子,光学性质和电学性质.β-Ga2O3可以作为GaN基LEDs的潜在衬底,同时它也在MOSFET和紫外光探测器方面有着重要的应用前景.

中图分类号:

O738

张宏哲;王林军;夏长泰;赛青林;肖海林. 宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(11): 2943-2953.

ZHANG Hong-zhe;WANG Lin-jun;XIA Chang-tai;SAI Qing-lin;XIAO Hai-lin. Research Progress of Wide-gap Semiconductor β-Ga2O3 Single Crystal[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(11): 2943-2953.

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Research Progress of Wide-gap Semiconductor β-Ga2O3 Single Crystal

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