AlN/Mo/TiB2微波衰减材料的制备及介电性能研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (11): 3060-3064.

AlN/Mo/TiB2微波衰减材料的制备及介电性能研究

董丽;董桂霞;程晓清;张茜;陈旸

华北理工大学材料科学与工程学院,河北省无机非金属材料重点实验室,唐山063009

出版日期:2015-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家国际科技合作项目(2014DFR50570);唐山市科技计划项目(14130272a)

Preparation and Dielectric Properties of AlN/Mo/TiB2 Microwave Attenuation Materials

DONG Li;DONG Gui-xia;CHENG Xiao-qing;ZHANG Xi;CHEN Yang

Online:2015-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用放电等离子烧结制备了AlN/Mo/TiB2微波衰减材料.研究了TiB2的含量对复合材料的相组成、致密度、电阻率及介电性能的影响.利用XRD、SEM、网络分析仪对样品的相组成、微观结构、介电性能进行测试分析.结果表明:随着TiB2的含量的增加,复合陶瓷的致密度先增大后减小,当加入15wt; TiB2时,致密度达到最大,为98.71;.加入TiB2有利于复合陶瓷介电常数和介电损耗的增加.从电导率测试结果可知,复合陶瓷的渗流阈值在TiB2含量为15wt;.

中图分类号:

TM25

董丽;董桂霞;程晓清;张茜;陈旸. AlN/Mo/TiB2微波衰减材料的制备及介电性能研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(11): 3060-3064.

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