CuAlSe2光伏吸收层薄膜的制备

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (11): 3210-3214.

CuAlSe2光伏吸收层薄膜的制备

张茹;朱俊;程凤敏;丁铁柱;高强强;李东东;刘晓玺

内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古自治区半导体光伏技术重点实验室,呼和浩特010021

出版日期:2015-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61464009);内蒙古自治区重大基础研究开放课题(20130902)

Preparation of CuAlSe2 Photovoltaic Absorber-layer Thin Films

ZHANG Ru;ZHU Jun;CHENG Feng-min;DING Tie-zhu;GAO Qiang-qiang;LI Dong-dong;LIU Xiao-xi

Online:2015-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用同族元素Al和Fe取代CulnGaSe2薄膜中的In和Ga元素.采用粉末冶金工艺制备CuAlSe2和CuAlSe2∶Fe光伏吸收层薄膜.依次对薄膜样品进行了表面形貌、化学成分、薄膜厚度、晶体结构和光学特性测试分析.结果表明,退火温度为450℃、500℃、550℃时薄膜的生长特性较好,薄膜较为致密,结晶度较高.薄膜主要为黄铜矿结构,并沿(112)晶相择优生长.CuAlSe2薄膜和CuAlSe2∶Fe薄膜样品的光学吸收系数达到105 cm-1,且随着掺Fe比例增加而增加.未掺杂的薄膜的光学带隙约为1.6 eV,掺Fe薄膜的禁带宽度接近1.8 eV.

中图分类号:

TM615

张茹;朱俊;程凤敏;丁铁柱;高强强;李东东;刘晓玺. CuAlSe2光伏吸收层薄膜的制备[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(11): 3210-3214.

ZHANG Ru;ZHU Jun;CHENG Feng-min;DING Tie-zhu;GAO Qiang-qiang;LI Dong-dong;LIU Xiao-xi. Preparation of CuAlSe2 Photovoltaic Absorber-layer Thin Films[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(11): 3210-3214.

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